경험정리중인데 cmp 연구실에서 했던것들 자소서에 써먹을수 있을까요?

안녕하세요 현재 전자공학과 4학년에 재학중인 대학생입니다.

반도체 공정기술, 설비기술 또는 반도체 장비사 CS 붙혀주면 어디든 다 간다는 마인드고 이번 방학때 경험정리랑 자소서를 좀 써보려고 하는데요.

제가 1학기때 cmp연구실에서 펠티어 소자를 사용하여 슬러리 온도제어를 통해 재료제거 특성연구를 한 적이 있습니다.

말은 거창하지만 연구학점제라서 칠러 같은 비싼 온도조절장치가 없어서 몇만원 밖에 안하는 펠티어 소자를 사용하여 온도제어를 0도부터 30도 까지 조절하면서 cmp를 통해 WIWNU (웨이퍼 내 비균일성) 를 23.35%에서 4.35%까지 낮춘경험이 있습니다.

(근데 사실 말이 펠티어 소자를 사용해서 0도부터 30도까지 제어했다곤 하는데 펠티어 소자로 온도제어하기가 쉽지가 않더라구요.. 상온에서 5도까지만 떨구는데도 거의 50분? 한세월이 걸려서 저희가 수조에 얼음을 담아서 펌프를 통해 물을 워터펌프로 전달하여 순환되게 만들고 슬러리가 담긴 비커 밑에 펠티어 소자를 붙혀 냉각을 전달시키고 펠티어 소자에 서멀구리스를 바르고 펠티어 소자의 열을 식히기 위해 그 밑에 워터펌프설치, 그 밑에 냉각팬을 달아 열을 방출했었습니다.

저희가 설정한 온도에 도달했을땐 아두이노 PID 제어를 통해서 온도가 더 올라가거나 떨어지지 않게 조절했었습니다.

허나 막상 하고 보니 실험이 좀 빈약한것 같더라구요. 칠러 같은 온도조절장치가 있는것도 아니여서 몇만원짜리 펠티어 소자를 사용해서 냉각한거라 이런걸 써먹을 수 있을지 잘 모르겠습니다..)

게다가 사실 처음에 23.35% 처럼 크게 나온이유는 실험할때 썼던 4인치 웨이퍼 자체의 두께가 애초에 몇번 실험한거여서 박막두께가 엄청 얇았습니다. 그래서 WIWNU가 저렇게 크게 나왔었고 나중에 웨이퍼를 누르는 압력을 200-300 -> 400-500으로 더 높였고 웨이퍼-패드사이 갭을 1.5에서 1로 낮추었더니 박막불균일도를 4.35%까지 낮출수 있었습니다.

사실 슬러리 온도제어를 해서 저렇게 값을 낮춘건 아니거든요.

두번째로 0도 ~ 30도까지 온도제어를 했을때 

온도가 올라감에 따라 MRR(재료제거율)이 점점 올라가는것을 확인했습니다.

이렇게 쓰고 보니까 딱히 뭔가 메리트가 없더라구요.. 그냥 누구나 할 수 있는? 변수도 엄청 간단한 변수들만 건드린건데 저거를 과연 자소서에 써먹을 수 있을까요 ㅠㅠ 

써먹을 수 있다면 어떤식으로 써먹어야 하는지.. 아니면 좀 부풀리는 방법이 있을지 궁금합니다

밑에 사진은 30도였을때 어떤결과값이 나왔는지 position별로 측정한 값인데 0도부터 30도까지 5도씩 증가시키며 실험한 데이터가 끝이에요